继去年 x3 MLC 技术后(参考: [ Sandisk 发表 x3 MLC 储存技术 ]),Sandisk 再度挑战物理极限,宣布 x4 MLC 记忆晶片即将开始量产。所谓 x4 是指 4-BITS-PER-CELL,可在每个 cell 上储存 4-bit 的资料,比现行 MLC 多了一倍!此次 Sandisk 採用 43nm 製程,将开始量产 64Gb flash 晶片 (16Gb x4),这也是目前业界首度出现的 64Gb 单晶片!

Sandisk 发表 x4 MLC 技术

这项技术,仍然是由 Sandisk 与 Toshiba 合作开发的,Sandisk 也在这个新晶片中,导入 ABL(All-Bit-Line), TSP(three-step programming) 以及 SSC(sequential sense concept) 等独家技术,可大幅提昇 MLC 效率。此次的 43nm 64Gb flash,将可达到 7.8MB/sec 的写入速率!

此外,Sandisk 同时也宣布已经与 Toshiba 再度合作开发出 32nm 的 x3 MLC flash,未来将可让 microSD, SSD 等储存媒体成本再度下降!

以下是 Sandisk 新闻稿全文。

全球快闪记忆体供应商领导品牌SanDisk®(NASDAQ:SNDK)宣布将大量生产以多层电路元 (Multi-Level Cell,简称MLC) 技术为基础,全球首项、领先业界的高效能4-bits-per-cell (X4) 快闪记忆体。SanDisk秉持提供业界最高的记忆体容量、满足日新月异的记忆体应用程式,突破现有技术,採用43奈米製程来支援64Gb单颗粒记忆体晶片。此外,SanDisk亦已生产新一代的X4控制器,作为有效管理X4 记忆体效能表现及其複杂性及的必要工具。SanDisk结合X4 记忆体晶片及X4控制器晶片于多重晶片封装(Memory Multi-Chip Package,简称MCP)内,以提供全面、 整合并符合经济效益的记忆体方案。

SanDisk记忆体科技及产品发展高级副总裁Khandker Quader表示:「X4 记忆体及控制器技术视为快闪记忆体发展的重要里程碑,除了将为SanDisk 带来长远重大的效益外,更视为未来在NAND 快闪记忆体技术发展上的重要角色。64Gb X4乃是汇聚多项重大发明的成果,此项技术显示SanDisk 在发展高效能、低成本multi-bit 快闪记忆体的领先技术外,亦突显SanDisk在需佔用大量记忆体音乐、电影、相片、GPS及电脑游戏等相关应用程式上的领导优势。」

X4 快闪记忆体突破发展

SanDisk与东芝长期合作研发、生产先进的快闪记忆体,此次亦合作发展採用43 奈米製程的64Gb X4快闪记忆体技术。以三大主要元素--SanDisk专利的All –Bit-Line (ABL) 架构、最新发展的三步程式 (three-step programming,TSP) 、及顺序概念 (sequential sense concept ,SSC) 构成X4不凡的卓越表现;其写入速度比现今多层式晶片技术提升至每秒7.8MB,是目前业界最高容量与密度的快闪记忆体单颗粒,并预计将于今年投产。

X4 控制器科技乃是关键

SanDisk发展多项先进系统管理的创新应用程式,以解决4-bits-per-cell繁杂技术所带来的问题。由SanDisk研发及拥有的X4控制器,利用首创专为储存系统而设的错误校正码 (error correcting code,简称ECC) ,支援4-bits-per-cell所需的16层分配模式。

SanDisk 未来科技及创新部副总裁Menahem Lasser表示:「兼具生产、效能及符合经济成本的4-bits-per-cell技术,最根本的挑战在于多层式储存上需要创新先进的系统支援,幸而我们的X4控制器技术配合记忆体管理及单一处理系统,能完全符合4-bits-per-cell记忆体的独特需求,此亦显示出SanDisk在处理繁杂记忆体应用程式概念化与投入生产上的卓越能力。」

距离SanDisk在2008国际固态电路会议上推出X3 (3-bits-per-cell NAND) 技术只有一年的时间,SanDisk于2009国际固态电子电路会议 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC)上,与东芝递交一份关于採用43奈米製程开发64Gb 4-bits-per-cell NAND快闪记忆体的突破性技术论文,并荣获该会议2009路易斯优秀论文奖(Lewis Winner Outstanding Paper Award)的殊荣。

全球快闪记忆体供应商领导品牌SanDisk®(NASDAQ:SNDK)与东芝合作推出採用32奈米(nm)製程技术所生产的32-gigabite (Gb) 3-bits-per-cell (X3) 多层电路元 (Multi-Level Cell,简称MLC) 快闪记忆体晶片,助益以低成本生产高容量储存记忆卡及固态硬碟等产品。

SanDisk共同创办人兼总裁Sanjay Mehrotra表示 :「SanDisk在推出56奈米3-bits-per-cell的第一代产品后一年半,即开发出第三代32奈米3-bits-per-cell技术,展现身为业界领导者具备的快速研发能力。同时,凭藉此创新技术,让SanDisk更能以经济的成本,提供更多兼具高容量及时尚外观的产品,不仅助于拓展各产品线,更突显SanDisk提供给消费者卓越技术与创新的坚持。」

32奈米 X3 技术—microSD相关产品的最佳选择

32奈米32Gb X3技术是目前业界体积最小的快闪记忆体晶片,适用于手机和其他消费性电子产品中,仅有指甲大小的microSD™记忆卡。业界密度最高的32奈米 32Gb microSD记忆卡,以与43奈米相同的模组,提供比其高出两倍的容量。32奈米製程以及其电路设计的领先技术为成就113mm2 晶片规格的关键要素,并以SanDisk All-Bit-Line (ABL)专利架构提升X3的读写效能。

SanDisk OEM业务部暨企业工程执行副总裁Yoram Cedar表示 :「32奈米 X3晶片的小巧体积和令人难以置信的密度,促使高容量microSD的诞生。随者日益增长的行动电话储存需求,microSD的尺寸大小也成为消费者选购的要点,而X3技术将是使我们为市场注入新产品的重要因素。」

关于SanDisk核心技术

32奈米是业界迄今最先进的快闪记忆体製程技术,它需要先进的解决方案来管理在规格上的变化。结合数种创新技术的32奈米製程晶片,与摩尔定律中的其他趋势线相较之下,其模组区域大幅减小。

SanDisk储存技术部副总裁Klaus Schuegraf表示 :「SanDisk成功的以43奈米浸没式光刻技术部署间隙壁工艺,不需增加昂贵的光刻设备下,完成32奈米製程技术,SanDisk将其领先业界的64-bit NAND串长带到32奈米,并採用创新的程式演算法和系统设计弥补位与位之间的甘扰影响(bit to bit)。」

SanDisk和东芝在2009国际固态电子电路会议 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC) 中携手发表32奈米 32Gb X3 NAND快闪记忆体;强调可发展出32奈米的创新技术。32奈米32Gb X3预计在2009年下半年开始投产。